公司新聞
[點擊量:3286][來源:立新]
2013-07-03
永磁同步電機(jī)之永磁無刷直流電動機(jī)的控制器
控制器是永磁無刷直流電動機(jī)的重要組成部分,其主要作用是實現(xiàn)無刷直流電動機(jī)的換向、調(diào)速和起動等功能,主要包括逆變開關(guān)電路、開關(guān)信號驅(qū)動放大電路和控制電路,如圖7一41所示。
一、逆變開關(guān)電路
對于不同相數(shù)、不同工作方式的永磁無刷直流電動機(jī),其逆變開關(guān)電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)不同,其中圖7一41所示三相橋式逆變電路應(yīng)用最為廣泛。它主要包括整流電路IR:、濾波電路、緩沖吸收電路和逆變橋。整流橋IRI和濾波電容Cl將交流輸人電壓轉(zhuǎn)換為直流電壓,形成低內(nèi)阻直流電壓源,電容CI與繞組這一感性負(fù)載交換無功功率,保證電機(jī)系統(tǒng)輸人端具有較高的功率因數(shù)。緩沖吸收電路由無感電容Q 、快速恢復(fù)二極管VD7和電阻RZ構(gòu)成,主要作用是吸收逆變開關(guān)動作時在繞組電感上產(chǎn)生的尖峰電壓,保護(hù)逆變開關(guān)。對于小功率逆變電路,可以只在電源母線上連接一個吸收電路;對于大功率的逆變電路,需要在每一開關(guān)旁邊連接一個吸收電路,并且吸收電路要盡可能靠近開關(guān)。逆變電路由功率開關(guān)VTI一VT6和續(xù)流二極管Vl ) 1一VD6構(gòu)成,它是逆變電路的核心部分,常用的功率開關(guān)為功率場效應(yīng)晶體管MOSFET 、絕緣柵晶體管IGBT和智能功率模塊(IPM)。功率場效應(yīng)晶體管MOSFET具有驅(qū)動功率小、開關(guān)頻率高、導(dǎo)通電阻具有負(fù)溫度系數(shù)的優(yōu)點,非常適合于低電壓、大電流的驅(qū)動場合。絕緣柵晶體管IGBT的優(yōu)點在于驅(qū)動輸人阻抗高、開關(guān)損耗小、飽和壓降低、通斷速度快、熱穩(wěn)定性能好、耐高壓且能承受大電流、驅(qū)動電路簡單,其對應(yīng)的IGBT功率模塊品種多樣,應(yīng)用日益廣泛。由IGBT單元構(gòu)成的功率模塊也得到了迅速發(fā)展,智能功率模塊不僅包括功率開關(guān)單元和驅(qū)動電路,還具有保護(hù)和報警功能,簡化了電路結(jié)構(gòu),縮短了開發(fā)周期。 IGBT 、 IPM適用于變頻器、直流調(diào)速系統(tǒng)、 DCeL尤變換器以及有源電力濾波器等,目前,富士、三菱、西門子均有多種規(guī)格的IPM智能功率模塊。
二、驅(qū)動電路
驅(qū)動電路的作用是將控制電路輸出的脈沖信號進(jìn)行功率放大,以驅(qū)動MOSFET或IG -BT,對驅(qū)動電路的基本要求如下:
( 1)提供適當(dāng)?shù)恼蚝头聪蜉敵鲭妷?,使功率開關(guān)管可靠地開通和關(guān)斷。( 2)提供足夠大的瞬態(tài)功率或瞬時電流,使功率開關(guān)管能迅速導(dǎo)通。
( 3)盡可能小的輸人輸出延遲時間。
( 4)足夠高的輸人輸出電氣隔離性能,使信號電路與驅(qū)動電路隔離。
( 5)具有靈敏的過電流保護(hù)能力。
驅(qū)動電路有多種形式,按照驅(qū)動電路的組成不同可分為由分立元件組成的驅(qū)動電路和集成驅(qū)動電路;按照驅(qū)動方式不同可分為直接驅(qū)動和隔離驅(qū)動。圖7一42為美國IR公司生產(chǎn)的橋式驅(qū)動集成電路芯片IR2 110,它兼有光藕隔離和電磁隔離的優(yōu)點,體積小,速度快,是中小功率變換裝置中驅(qū)動器件的首選。 IR2110是一種雙通道、柵極驅(qū)動、可驅(qū)動高壓高速功率器件的單片式集成驅(qū)動模塊,在芯片中采用了高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù),大大簡化了邏輯電路對功率器件的控制要求,同時提高了驅(qū)動電路的可靠性。上橋采用外部自舉電容上電,使得驅(qū)動電源數(shù)目較其他IC驅(qū)動電路大大減少。對于三相橋式逆變器,采用3片IR211 。驅(qū)動3個橋臂,僅需一路10一20V電源,大大縮小了變壓器體積,減少了電源數(shù)目,降低了成本,提高了系統(tǒng)可靠性。IR2110由低壓側(cè)驅(qū)動電路、高壓側(cè)驅(qū)動電路、電平轉(zhuǎn)換電路以及輸人邏輯電路等部分組成,輸人邏輯電路與TTL / CMOS電平兼容。當(dāng)下橋?qū)?、上橋關(guān)閉時,LO輸出高電平,VTZ導(dǎo)通,HO與VS導(dǎo)通,VTI關(guān)斷,VCC經(jīng)VD3 、 C:、 VTZ給Cl充電;當(dāng)上橋?qū)?、下橋關(guān)閉時,LO輸出低電平,VTZ關(guān)斷,HO與VB導(dǎo)通,Cl經(jīng)VB 、 HO 、 R;放電,VTI導(dǎo)通。